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In the present work we focus on the investigation by electron spin resonance (EPR) and complementary techniques (such as SEM, ToF-SIMS, XPS) of silicon nanowires produced by metal-assisted chemical etching (MACE). In particular we will report on the impact of the MACE process on the donors (P and As) and on surface passivation processes based on H or S. The efficiency of the passivation processes has been monitored by following the EPR signals of the Pb centers at the Si/SiO2 interface.
Fanciulli, M., Paleari, S., Belli, M., Lamperti, A. (2016). Silicon nanowires: Donors, surfaces and interface defects. Intervento presentato a: Symposium on High Purity and High Mobility Semiconductors 14 - PRiME 2016/230th ECS Meeting - 2 October 2016 through 7 October 2016, Honolulu, USA.
Silicon nanowires: Donors, surfaces and interface defects
In the present work we focus on the investigation by electron spin resonance (EPR) and complementary techniques (such as SEM, ToF-SIMS, XPS) of silicon nanowires produced by metal-assisted chemical etching (MACE). In particular we will report on the impact of the MACE process on the donors (P and As) and on surface passivation processes based on H or S. The efficiency of the passivation processes has been monitored by following the EPR signals of the Pb centers at the Si/SiO2 interface.
Symposium on High Purity and High Mobility Semiconductors 14 - PRiME 2016/230th ECS Meeting - 2 October 2016 through 7 October 2016
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Fanciulli, M., Paleari, S., Belli, M., Lamperti, A. (2016). Silicon nanowires: Donors, surfaces and interface defects. Intervento presentato a: Symposium on High Purity and High Mobility Semiconductors 14 - PRiME 2016/230th ECS Meeting - 2 October 2016 through 7 October 2016, Honolulu, USA.
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/10281/197720
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 598/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
