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PdGe contact fabrication on Ge(001) wafers doped with Ga is investigated using conventional complementary metal-oxide-semiconductor processes. Despite a p-type doping level of ~1.4 × 1020 cm−3, the resistivity of the PdGe contact is found to be twice higher than that of undoped Ge. Ga doping has no influence on the Pd reaction with Ge. However, the doping process and the Salicide process led to the formation of Ga-Pd defects in both sides of the PdGe/Ge interface, resulting from Ga and Pd co-segregation on Ge dislocation loops.
Luo, T., Perrin Toinin, J., Descoins, M., Hoummada, K., Bertoglio, M., Chow, L., et al. (2018). PdGe contact fabrication on Ga-doped Ge: Influence of implantation-mediated defects. SCRIPTA MATERIALIA, 150, 66-69 [10.1016/j.scriptamat.2018.02.037].
PdGe contact fabrication on Ga-doped Ge: Influence of implantation-mediated defects
Luo, T;Perrin Toinin, J;Descoins, M;Hoummada, K;Bertoglio, M;Chow, L;Narducci, D;Portavoce, A
2018
Abstract
PdGe contact fabrication on Ge(001) wafers doped with Ga is investigated using conventional complementary metal-oxide-semiconductor processes. Despite a p-type doping level of ~1.4 × 1020 cm−3, the resistivity of the PdGe contact is found to be twice higher than that of undoped Ge. Ga doping has no influence on the Pd reaction with Ge. However, the doping process and the Salicide process led to the formation of Ga-Pd defects in both sides of the PdGe/Ge interface, resulting from Ga and Pd co-segregation on Ge dislocation loops.
Luo, T., Perrin Toinin, J., Descoins, M., Hoummada, K., Bertoglio, M., Chow, L., et al. (2018). PdGe contact fabrication on Ga-doped Ge: Influence of implantation-mediated defects. SCRIPTA MATERIALIA, 150, 66-69 [10.1016/j.scriptamat.2018.02.037].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/10281/196058
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 598/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
