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Albani, M., Bergamaschini, R., Gagliano, L., Assali, S., Verheijen, M., Bakkers, E., et al. (2017). Strain relaxation in semiconductor core/shell nanowires. Intervento presentato a: Italian Crystal Growth 2017, University of Milano Bicocca, MIlan, Italy.

Strain relaxation in semiconductor core/shell nanowires

Albani, M
Primo
;Bergamaschini, R
Secondo
;Miglio, L.
Ultimo
2017
abstract + slide
nanowire, core/shell, GeSn, bending, elasticity, strain, InGaP
English
Italian Crystal Growth 2017
2017
2017
none
Albani, M., Bergamaschini, R., Gagliano, L., Assali, S., Verheijen, M., Bakkers, E., et al. (2017). Strain relaxation in semiconductor core/shell nanowires. Intervento presentato a: Italian Crystal Growth 2017, University of Milano Bicocca, MIlan, Italy.
02 - Intervento a convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/10281/176125
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